ON Semiconductor - MUR1100EG

KEY Part #: K6449708

MUR1100EG Цэнаўтварэнне (USD) [194835шт шт]

  • 1 pcs$0.20566
  • 10 pcs$0.17521
  • 100 pcs$0.13091
  • 500 pcs$0.10287
  • 1,000 pcs$0.07949

Частка нумар:
MUR1100EG
Вытворца:
ON Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL. Rectifiers 1000V 1A UltraFast
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - SCR, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors) and Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor MUR1100EG. MUR1100EG можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MUR1100EG Атрыбуты прадукту

Частка нумар : MUR1100EG
Вытворца : ON Semiconductor
Апісанне : DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL
Серыя : SWITCHMODE™
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 1000V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 1A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.75V @ 1A
Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 100ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 10µA @ 1000V
Ёмістасць @ Vr, F : -
Тып мантажу : Through Hole
Пакет / футляр : DO-204AL, DO-41, Axial
Пакет прылад пастаўшчыка : Axial
Працоўная тэмпература - развязка : -65°C ~ 175°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • CSD04060E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO252-2.

  • BAT 64 B5003

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.

  • BAS 70 B5003

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3.

  • BAT 54 B5003

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.

  • BAS 40 B5003

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.

  • BAS 16 B5003

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3.