Vishay Semiconductor Diodes Division - UHB10FT-E3/4W

KEY Part #: K6440914

UHB10FT-E3/4W Цэнаўтварэнне (USD) [75420шт шт]

  • 1 pcs$0.54353
  • 10 pcs$0.48750
  • 25 pcs$0.46275
  • 100 pcs$0.38014
  • 250 pcs$0.33616
  • 500 pcs$0.29707
  • 1,000 pcs$0.23453
  • 2,500 pcs$0.21889
  • 5,000 pcs$0.20847

Частка нумар:
UHB10FT-E3/4W
Вытворца:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 300V 10A TO263AB.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Модулі драйвераў харчавання, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ and Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors) ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division UHB10FT-E3/4W. UHB10FT-E3/4W можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UHB10FT-E3/4W Атрыбуты прадукту

Частка нумар : UHB10FT-E3/4W
Вытворца : Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне : DIODE GEN PURP 300V 10A TO263AB
Серыя : -
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 300V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 10A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.2V @ 10A
Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 35ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 5µA @ 300V
Ёмістасць @ Vr, F : -
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-263AB
Працоўная тэмпература - развязка : -55°C ~ 175°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • RURD420S9A_T

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 200V 4A TO252.

  • VS-20ETF10PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 20A TO220FP.

  • UHB10FT-E3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 10A TO263AB.

  • STTH8S06FP

    STMicroelectronics

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP. Rectifiers ULT FAST HI VLT RECT TURBO 2

  • FR207TA

    SMC Diode Solutions

    DIODE GEN PURP 1KV 2A DO15.

  • BYV10X-600PQ

    WeEn Semiconductors

    DIODE GEN PURP 600V 10A TO220-2. Rectifiers Ultrafast Pwr Diode