Toshiba Memory America, Inc. - TC58BVG1S3HBAI4

KEY Part #: K938201

TC58BVG1S3HBAI4 Цэнаўтварэнне (USD) [19544шт шт]

  • 1 pcs$2.34452

Частка нумар:
TC58BVG1S3HBAI4
Вытворца:
Toshiba Memory America, Inc.
Падрабязнае апісанне:
2GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 3.3V 2Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: PMIC - Напружанне, Убудаваны - DSP (лічбавыя сігнальныя працэсары), Інтэрфейс - мадэмы - ІС і модулі, Логіка - зашчапкі, Інтэрфейс - кантролеры, Інтэрфейс - Аналагавыя перамыкачы - спецыяльнага п, Убудаваны - FPGA (палявая праграмуемая брама) and Лінейныя - узмацняльнікі - спецыяльнага прызначэнн ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Toshiba Memory America, Inc. TC58BVG1S3HBAI4. TC58BVG1S3HBAI4 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58BVG1S3HBAI4 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : TC58BVG1S3HBAI4
Вытворца : Toshiba Memory America, Inc.
Апісанне : 2GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE
Серыя : Benand™
Статус часткі : Active
Тып памяці : Non-Volatile
Фармат памяці : FLASH
Тэхналогіі : FLASH - NAND (SLC)
Памер памяці : 2Gb (256M x 8)
Тактовая частата : -
Час цыкла напісання - слова, старонка : 25ns
Час доступу : -
Інтэрфейс памяці : -
Напружанне - падача : 2.7V ~ 3.6V
Працоўная тэмпература : -40°C ~ 85°C (TA)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : 63-VFBGA
Пакет прылад пастаўшчыка : 63-TFBGA (9x11)

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • AT27C4096-90PU

    Microchip Technology

    IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp

  • W979H2KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA. DRAM 512Mb LPDDR2, x32, 400MHz, -40 85C

  • W979H6KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA. DRAM 512Mb LPDDR2, x16, 400MHz, -40 85C