Infineon Technologies - IRFR3710ZPBF

KEY Part #: K6411932

IRFR3710ZPBF Цэнаўтварэнне (USD) [13620шт шт]

  • 1 pcs$0.76512
  • 10 pcs$0.68986
  • 100 pcs$0.55444
  • 500 pcs$0.43124
  • 1,000 pcs$0.33799

Частка нумар:
IRFR3710ZPBF
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Дыёды - РФ, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Тырыстары - SCR, Транзістары - IGBT - масівы, Модулі драйвераў харчавання and Тырыстары - TRIAC ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IRFR3710ZPBF. IRFR3710ZPBF можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFR3710ZPBF Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IRFR3710ZPBF
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Серыя : HEXFET®
Статус часткі : Discontinued at Digi-Key
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 100V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 42A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 33A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 100nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 2930pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 140W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : D-Pak
Пакет / футляр : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • DMN3026LVT-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26.

  • ZVN2106A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 450MA TO92-3.

  • IRLR8113TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.

  • IRFR12N25DPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 250V 14A DPAK.

  • IRFR3710ZPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 42A DPAK.

  • IRFR1010ZPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.