Infineon Technologies - IPC90R120C3X1SA1

KEY Part #: K6401288

IPC90R120C3X1SA1 Цэнаўтварэнне (USD) [8829шт шт]

  • 1 pcs$5.45587

Частка нумар:
IPC90R120C3X1SA1
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH BARE DIE.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - IGBT - Модулі, Дыёды - Зэнер - Масівы, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Тырыстары - SCR, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы and Модулі драйвераў харчавання ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IPC90R120C3X1SA1. IPC90R120C3X1SA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPC90R120C3X1SA1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IPC90R120C3X1SA1
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET N-CH BARE DIE
Серыя : *
Статус часткі : Obsolete
Тып FET : -
Тэхналогіі : -
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : -
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : -
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (й) (Max) @ Id : -
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : -
Vgs (макс.) : -
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : -
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : -
Працоўная тэмпература : -
Тып мантажу : -
Пакет прылад пастаўшчыка : -
Пакет / футляр : -

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • LND150N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • DN2530N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 300V 0.175A TO92-3.

  • IRFIBC30GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220FP.

  • TPC8048-H(TE12L,Q)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 16A 8-SOP.

  • SI4628DY-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 30V 38A 8SOIC.

  • IRF720SPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK.