Частка нумар :
SI4888DY-T1-GE3
Вытворца :
Vishay Siliconix
Апісанне :
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
30V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
11A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
1.6V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
24nC @ 5V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
-
Рассейванне магутнасці (макс.) :
1.6W (Ta)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
8-SO
Пакет / футляр :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)