Частка нумар :
IPU60R1K0CEAKMA1
Вытворца :
Infineon Technologies
Апісанне :
MOSFET N-CH 600V TO-251-3
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
600V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
4.3A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
3.5V @ 130µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
13nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
280pF @ 100V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
-
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка :
PG-TO251-3
Пакет / футляр :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA