Vishay Siliconix - SI4908DY-T1-E3

KEY Part #: K6524426

[3835шт шт]


    Частка нумар:
    SI4908DY-T1-E3
    Вытворца:
    Vishay Siliconix
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Тырыстары - SCR, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Дыёды - РФ and Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SI4908DY-T1-E3. SI4908DY-T1-E3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI4908DY-T1-E3 Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : SI4908DY-T1-E3
    Вытворца : Vishay Siliconix
    Апісанне : MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC
    Серыя : TrenchFET®
    Статус часткі : Obsolete
    Тып FET : 2 N-Channel (Dual)
    Функцыя FET : Standard
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 40V
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 5A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 4.1A, 10V
    Vgs (й) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 12nC @ 10V
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 355pF @ 20V
    Магутнасць - Макс : 2.75W
    Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет / футляр : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Пакет прылад пастаўшчыка : 8-SO

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў