Апісанне :
GANFET TRANS 200V 48A BUMPED DIE
Тэхналогіі :
GaNFET (Gallium Nitride)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
200V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
48A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (й) (Max) @ Id :
2.5V @ 7mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
8.8nC @ 5V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
950pF @ 100V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
-
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 140°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
Die