Vishay Siliconix - SQD25N06-22L_GE3

KEY Part #: K6419638

SQD25N06-22L_GE3 Цэнаўтварэнне (USD) [122682шт шт]

  • 1 pcs$0.30149
  • 2,000 pcs$0.27134

Частка нумар:
SQD25N06-22L_GE3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 60V 25A TO252.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - РФ, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - JFET, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя and Транзістары - спецыяльнага прызначэння ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SQD25N06-22L_GE3. SQD25N06-22L_GE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQD25N06-22L_GE3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SQD25N06-22L_GE3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET N-CH 60V 25A TO252
Серыя : TrenchFET®
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 60V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 25A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 50nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1975pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 62W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-252, (D-Pak)
Пакет / футляр : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў