ON Semiconductor - NTF2955T1G

KEY Part #: K6402010

NTF2955T1G Цэнаўтварэнне (USD) [235119шт шт]

  • 1 pcs$0.15731
  • 1,000 pcs$0.15272

Частка нумар:
NTF2955T1G
Вытворца:
ON Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Дыёды - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - JFET, Тырыстары - SCR and Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor NTF2955T1G. NTF2955T1G можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTF2955T1G Атрыбуты прадукту

Частка нумар : NTF2955T1G
Вытворца : ON Semiconductor
Апісанне : MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : P-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 60V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 1.7A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 185 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 14.3nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 492pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 1W (Ta)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : SOT-223
Пакет / футляр : TO-261-4, TO-261AA

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • VN0109N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 90V 0.35A TO92-3.

  • ZVN3310ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

  • BS107PSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3.

  • ZVN2106ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

  • LND150N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • ZVN2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.