Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Дадому
  2. Прадукты
  3. Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы
  4. Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя
  5. APTM100UM60FAG

Microsemi Corporation - APTM100UM60FAG

KEY Part #: K6396555

APTM100UM60FAG Цэнаўтварэнне (USD) [462шт шт]

  • 1 pcs$100.64645
  • 100 pcs$100.14573
Частка нумар:
APTM100UM60FAG
Вытворца:
Microsemi Corporation
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 1000V 129A SP6.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - IGBT - Модулі, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - JFET, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап and Дыёды - РФ ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation APTM100UM60FAG. APTM100UM60FAG можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM100UM60FAG Атрыбуты прадукту

Частка нумар : APTM100UM60FAG
Вытворца : Microsemi Corporation
Апісанне : MOSFET N-CH 1000V 129A SP6
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 1000V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 129A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 64.5A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 5V @ 15mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 1116nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 31100pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 2272W (Tc)
Працоўная тэмпература : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Chassis Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : SP6
Пакет / футляр : SP6

Апошнія навіны

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • ZVN3306ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

  • FDD9409-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 90A TO252.

  • FDD86367-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 80V 100A DPAK.

  • FDD86540

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK-3.

  • TK40A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 60A TO220SIS.

  • SI2316DS-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3.

Гарачыя часткі