Toshiba Semiconductor and Storage - TK7P60W5,RVQ

KEY Part #: K6419900

TK7P60W5,RVQ Цэнаўтварэнне (USD) [142736шт шт]

  • 1 pcs$0.28647
  • 2,000 pcs$0.28504

Частка нумар:
TK7P60W5,RVQ
Вытворца:
Toshiba Semiconductor and Storage
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Тырыстары - SCR, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - JFET, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Дыёды - Зэнер - Масівы, Тырыстары - SCR - Модулі and Транзістары - спецыяльнага прызначэння ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Toshiba Semiconductor and Storage TK7P60W5,RVQ. TK7P60W5,RVQ можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK7P60W5,RVQ Атрыбуты прадукту

Частка нумар : TK7P60W5,RVQ
Вытворца : Toshiba Semiconductor and Storage
Апісанне : MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Серыя : DTMOSIV
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 600V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 7A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 670 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4.5V @ 350µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 16nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 490pF @ 300V
Функцыя FET : Super Junction
Рассейванне магутнасці (макс.) : 60W (Tc)
Працоўная тэмпература : 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : DPAK
Пакет / футляр : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў