SFF1006GAHC0G Цэнаўтварэнне (USD) [256926шт шт]
- 1 pcs$0.14396
- Частка нумар:
- SFF1006GAHC0G
- Вытворца:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE GEN PURP 400V 10A ITO220AB.
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - JFET, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя and Транзістары - спецыяльнага прызначэння ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Taiwan Semiconductor Corporation SFF1006GAHC0G. SFF1006GAHC0G можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
SFF1006GAHC0G Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
SFF1006GAHC0G
Вытворца :
Taiwan Semiconductor Corporation
Апісанне :
DIODE GEN PURP 400V 10A ITO220AB
Серыя :
Automotive, AEC-Q101
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
400V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
10A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
1.3V @ 5A
Хуткасць :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
35ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
10µA @ 400V
Ёмістасць @ Vr, F :
50pF @ 4V, 1MHz
Тып мантажу :
Through Hole
Пакет / футляр :
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Пакет прылад пастаўшчыка :
ITO-220AB
Працоўная тэмпература - развязка :
-55°C ~ 150°C
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
VSB2045Y-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 45V 6.5A P600. Schottky Diodes & Rectifiers 20A 45V .3V@5A TrenchMOS
-
S1AFG-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1A DO221AC. Rectifiers 1A, 400V, SLIM SMA, STD GPP, SM RECT
-
S1AFK-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 800V 1A DO221AC. Rectifiers 1A, 800V, SLIM SMA, STD GPP, SM RECT
-
VS-2EJH02HM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 2A DO221AC. Rectifiers Hyperfst 2A 200V Fred Pt Rfr AEC-Q101
-
VS-3EJH01HM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 3A DO221AC. Rectifiers Hyperfst 3A 100V Fred Pt Rfr AEC-Q101
-
VSSAF5L45-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 45V 3A DO221AC. Schottky Diodes & Rectifiers 5A,45V,TRENCH SKY RECT.
Гарачыя часткі
- S1J-TP
- S9147D
- SF10DG-B
- RGP10G-6038M3/73
- 1N4005-N-0-3-AP
- R7004203XXUA
- VS-1EFH02W-M3-18
- 1N3297R
- SS5P9HM3/86A
- UES2604
- EGP10AHM3/73
- EGP10A
- S4240F
- R9G20609CSOO
- 1N3909R
- 1N5622GP-E3/54
- SR502-T-F
- BYD13GGP-E3/73
- DGS17-03CS
- VF20100SG-E3/45
- SD103BW-13-F
- FESE16DT-E3/45
- JANTX1N6623
- MR756G
- RS2K-13
- 181NQ045R
- 50WQ10FN
- VS-11DQ04TR
- BAS21TA
- SS36HE3_A/I
- MBRS1100T3H
- BAT43-L0 A0G
- IDW30E60AFKSA1
- STPSC10H065G-TR
- RM 11CV
- NRVS3GB
- GP10JE-E3/73
- GL41J-E3/97
- BY206GP-E3/54
- LS101C-GS18