Частка нумар :
TPC8A06-H(TE12LQM)
Вытворца :
Toshiba Semiconductor and Storage
Апісанне :
MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
30V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
12A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10.1 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
2.3V @ 1mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
19nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
1800pF @ 10V
Функцыя FET :
Schottky Diode (Body)
Рассейванне магутнасці (макс.) :
-
Працоўная тэмпература :
-
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
8-SOP (5.5x6.0)
Пакет / футляр :
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)