IXYS - IXFN27N80

KEY Part #: K6397863

IXFN27N80 Цэнаўтварэнне (USD) [2903шт шт]

  • 1 pcs$15.66417
  • 10 pcs$14.48924
  • 25 pcs$13.31450
  • 100 pcs$12.37470
  • 250 pcs$11.35652

Частка нумар:
IXFN27N80
Вытворца:
IXYS
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Тырыстары - SCR, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ and Транзістары - IGBT - Модулі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах IXYS IXFN27N80. IXFN27N80 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN27N80 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IXFN27N80
Вытворца : IXYS
Апісанне : MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
Серыя : HiPerFET™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 800V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 27A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V, 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 300 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4.5V @ 8mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 400nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 9740pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 520W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Chassis Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : SOT-227B
Пакет / футляр : SOT-227-4, miniBLOC

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • IRLR024NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRLR2908PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • IXFY4N60P3

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 4A TO-252.

  • TK380A60Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS.

  • TK72A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 72A TO-220.

  • TK14A65W5,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220.