Vishay Semiconductor Diodes Division - BYM07-300HE3_A/I

KEY Part #: K6457882

BYM07-300HE3_A/I Цэнаўтварэнне (USD) [732237шт шт]

  • 1 pcs$0.05051

Частка нумар:
BYM07-300HE3_A/I
Вытворца:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 0.5A,300V,50NS GL34 AEC-Q101 Qualified
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - IGBT - Модулі, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Дыёды - РФ, Дыёды - Зэнер - Адзінокі and Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division BYM07-300HE3_A/I. BYM07-300HE3_A/I можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYM07-300HE3_A/I Атрыбуты прадукту

Частка нумар : BYM07-300HE3_A/I
Вытворца : Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне : DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213
Серыя : Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 300V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 500mA
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.35V @ 500mA
Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 50ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 5µA @ 300V
Ёмістасць @ Vr, F : 7pF @ 4V, 1MHz
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : DO-213AA (Glass)
Пакет прылад пастаўшчыка : DO-213AA (GL34)
Працоўная тэмпература - развязка : -65°C ~ 175°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • RGL34G-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 400 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • BYM07-300-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 300 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • BYM07-50-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • EGL34C-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 150 Volt 50ns

  • EGL34F-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 300 Volt 50ns

  • EGL34A-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 0.5 Amp 50 Volt 50ns