| Выява | Ключавая частка / Вытворца | Апісанне / PDF | Колькасць / RFQ |
|---|---|---|---|
 |
NXP USA Inc. |
IC TRANS RF LDMOS. |
913шт шт |
 |
NXP USA Inc. |
TRANS 900-1215MHZ 1000W PEAK 50V. |
178шт шт |
 |
NXP USA Inc. |
FET RF 100V 1.4GHZ NI780S. |
303шт шт |
 |
NXP USA Inc. |
IC TRANS RF LDMOS. |
3143шт шт |
|
NXP USA Inc. |
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO. |
1100шт шт |
 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.3GHZ NI-1230-4LS2L. |
570шт шт |
|
NXP USA Inc. |
IC TRANS RF LDMOS. |
827шт шт |
|
NXP USA Inc. |
IC TRANS RF LDMOS. |
907шт шт |
|
NXP USA Inc. |
RF POWER LDMOS TRANSISTOR 700-13. |
687шт шт |
 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502C. |
330шт шт |
|
NXP USA Inc. |
2.1GHZ 450W NI1230S-4S4S. |
478шт шт |
 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET HEMT 150V 14DB SOT1228B. |
305шт шт |
 |
Ampleon USA Inc. |
RF MOSFET LDMOS 28V SOT1270-1. |
1962шт шт |
 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET HEMT 150V 14DB SOT1228A. |
305шт шт |
 |
Microsemi Corporation |
RF MOSFET N-CH 1000V TO247. |
2090шт шт |
 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 60V 15.5DB SOT608A. |
489шт шт |
 |
Microsemi Corporation |
MOSFET RF PWR N-CH 50V 150W M174. |
1243шт шт |
 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 110V 23.5DB SOT539A. |
289шт шт |
|
Ampleon USA Inc. |
BLC2425M10LS250/SOT1273/TRAYDP. |
1316шт шт |
 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT12751. |
1214шт шт |
Старонкі класіфікацыі
- Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ - Старонка31
- Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ - Старонка32
- Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ - Старонка33
- Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ - Старонка34
- Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ - Старонка35
- Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ - Старонка36
- Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ - Старонка37
- Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ - Старонка38
- Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ - Старонка39
- Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ - Старонка40
success