| Выява | Ключавая частка / Вытворца | Апісанне / PDF | Колькасць / RFQ |
|---|---|---|---|
 |
NXP USA Inc. |
RF MOSFET LDMOS 50V NI-650H-4L. |
741шт шт |
 |
NXP USA Inc. |
RF MOSFET LDMOS 65V NI-1230H-4S. |
413шт шт |
 |
NXP USA Inc. |
WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSIST. |
597шт шт |
 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 20.5DB SOT539B. |
739шт шт |
 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 110V 130MHZ NI-1230. |
383шт шт |
 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 110V 28.5DB SOT539A. |
434шт шт |
 |
Cree/Wolfspeed |
IC AMP RF LDMOS H-33288-2. |
272шт шт |
 |
NXP USA Inc. |
RF POWER LDMOS TRANSISTOR 750 W. |
325шт шт |
 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 15DB SOT608B. |
1215шт шт |
 |
STMicroelectronics |
IC TRANS RF HF/VHF/UHF. |
633шт шт |
 |
Ampleon USA Inc. |
RF MOSFET LDMOS 28V SOT1271-3. |
1214шт шт |
 |
Toshiba Semiconductor and Storage |
MOSFET N-CH SMQ. |
726662шт шт |
 |
Toshiba Semiconductor and Storage |
FET RF 12.5V 800MHZ USQ. |
745784шт шт |
|
Toshiba Semiconductor and Storage |
MOSFET N-CH 12.5 30MA SMQ. |
524664шт шт |
|
Toshiba Semiconductor and Storage |
FET RF 12.5V 500MHZ USQ. |
745784шт шт |
 |
Ampleon USA Inc. |
TRANS RF 60W LDMOS DFM6F. |
1696шт шт |
 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 14.8DB SOT12751. |
403шт шт |
 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242C. |
1074шт шт |
 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 15.4DB SOT12587. |
599шт шт |
 |
STMicroelectronics |
MOSF RF N CH 200V 40A STAC177B. |
769шт шт |
Старонкі класіфікацыі
- Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ - Старонка41
- Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ - Старонка42
- Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ - Старонка43
- Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ - Старонка44
- Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ - Старонка45
- Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ - Старонка46
- Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ - Старонка47
- Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ - Старонка48
- Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ - Старонка49
- Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ - Старонка50
success