- Дадому
- Прадукты
- Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы
- Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап
Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап
Выява |
Ключавая частка / Вытворца |
Апісанне / PDF |
Колькасць / RFQ |
|
RN1132MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
|
X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M. |
3227101шт шт |
|
RN1118MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
|
X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M. |
3227101шт шт |
|
RN1113MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
|
X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M. |
3227101шт шт |
|
RN1101MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
|
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723. |
3519812шт шт |
- Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап - Старонка2
- Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап - Старонка3
- Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап - Старонка4
- Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап - Старонка5
- Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап - Старонка6
- Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап - Старонка7
- Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап - Старонка8
- Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап - Старонка9
- Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап - Старонка10
- Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап - Старонка11