Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Дадому
  2. Прадукты
  3. Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы
  4. Транзістары - IGBT - адзінкавыя

Транзістары - IGBT - адзінкавыя

Выява Ключавая частка / Вытворца Апісанне / PDF Колькасць / RFQ
GT8G133(TE12L,Q)

GT8G133(TE12L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

IGBT 400V 600MW 8TSSOP.

9437шт шт

GT50J121(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

IGBT 600V 50A 240W TO3P LH.

9437шт шт
GT10J312(Q)

GT10J312(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

IGBT 600V 10A 60W TO220SM.

9435шт шт

GT60N321(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH.

9435шт шт
GT10G131(TE12L,Q)

GT10G131(TE12L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

IGBT 400V 1W 8-SOIC.

9435шт шт

Старонкі класіфікацыі