S29GL512S11GHI020 Цэнаўтварэнне (USD) [16028шт шт]
- 1 pcs$3.55725
- 260 pcs$3.53955
- Частка нумар:
- S29GL512S11GHI020
- Вытворца:
- Cypress Semiconductor Corp
- Падрабязнае апісанне:
- IC FLASH 512M PARALLEL. NOR Flash Nor
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: PMIC - кантролеры гарачай замены, Памяць - Proms налады для FPGA, PMIC - Бягучае рэгуляванне / кіраванне, Убудаваны - Мікракантролеры - Спецыфічнае прымянен, PMIC - Кантролеры харчавання, маніторы, Убудаваныя - мікракантролеры, Логіка - зменныя рэестры and PMIC - Вымярэнне энергіі ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Cypress Semiconductor Corp S29GL512S11GHI020. S29GL512S11GHI020 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
S29GL512S11GHI020 Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
S29GL512S11GHI020
Вытворца :
Cypress Semiconductor Corp
Апісанне :
IC FLASH 512M PARALLEL
Серыя :
GL-S
Статус часткі :
Active
Тып памяці :
Non-Volatile
Фармат памяці :
FLASH
Тэхналогіі :
FLASH - NOR
Памер памяці :
512Mb (32M x 16)
Тактовая частата :
-
Час цыкла напісання - слова, старонка :
60ns
Час доступу :
110ns
Інтэрфейс памяці :
Parallel
Напружанне - падача :
2.7V ~ 3.6V
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 85°C (TA)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
56-VFBGA
Пакет прылад пастаўшчыка :
56-FBGA (9x7)
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
-
-
AT28HC256-12SU-T
Microchip Technology
IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 120NS, SOIC, IND TEMP, GREEN
-
AT28C256E-15SU-T
Microchip Technology
IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 150NS, SOIC, IND TEMP, GREEN
-
W9825G2JB-6I TR
Winbond Electronics
IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 166MHz, Ind Temp T&R
-
TC58NYG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Гарачыя часткі
- AT24C1024W-10SU-2.7-T
- MT28F800B5SG-8 T
- AT49F001AN-55JI
- AT25320A-10PI-1.8
- CY7C056V-15AC
- AT93C56W-10SI
- AT27LV520-90SI
- AT24C64-10PC-1.8
- NM93C06LM8
- NM24C04EM8
- 7006L25JI8
- 24AA08H-I/S16K
- S99FL132KMM43
- S25FL164K0XMFV011
- S25FL164K0XMFIS11
- MT47H32M16U67A3WC1
- MT42L128M32D1TK-25 AIT:A TR
- IDT71256SA15PZ
- 7006L20J
- MT44K16M36RB-093E IT:A TR
- MT29F32G08AECCBH1-10ITZ:C TR
- AT45DB642D-CNU
- TC58NVG3S0FTA00
- M25P16-VMC6TG TR
- CY7C1461SV33-133AXI
- CY7C09289V-9AC
- RC48F4400P0VB0EJ
- CY7C1515KV18-333BZI
- CY7C0852AV-133BBC
- CAT24C16WI-G
- IDT71V016SA20PHI
- MT46V128M4FN-5B:D TR
- AT27C020-55TU
- CY7C1412BV18-200BZXC
- M95320-MN3/B
- AT26DF161A-SSU
- IS61C1024AL-12TI-TR
- IS42S16400D-7BLI-TR
- S25FL256SAGNFV000
- S25FL256SDSMFBG03