IDH02G120C5XKSA1 Цэнаўтварэнне (USD) [29594шт шт]
- 1 pcs$1.38380
- 10 pcs$1.24145
- 100 pcs$0.96506
- 500 pcs$0.82154
- 1,000 pcs$0.69287
- Частка нумар:
- IDH02G120C5XKSA1
- Вытворца:
- Infineon Technologies
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE SCHOTTKY 1200V 2A TO220-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Модулі драйвераў харчавання, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі and Дыёды - РФ ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IDH02G120C5XKSA1. IDH02G120C5XKSA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
IDH02G120C5XKSA1 Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
IDH02G120C5XKSA1
Вытворца :
Infineon Technologies
Апісанне :
DIODE SCHOTTKY 1200V 2A TO220-2
Серыя :
CoolSiC™
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Silicon Carbide Schottky
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
1200V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
2A (DC)
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
1.65V @ 2A
Хуткасць :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
0ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
18µA @ 1200V
Ёмістасць @ Vr, F :
182pF @ 1V, 1MHz
Тып мантажу :
Through Hole
Пакет / футляр :
TO-220-2
Пакет прылад пастаўшчыка :
PG-TO220-2-1
Працоўная тэмпература - развязка :
175°C (Max)
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
RURD660S9A-F085
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK. Rectifiers Ultrafast Power Rectifier, 6A 600V
-
-
-
RURD460S9A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Fast Diode 4a 600V
-
VS-8EWL06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 8A TO252AA. Rectifiers 8A 600V 60ns Hyperfast
-
Гарачыя часткі
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A