Infineon Technologies - BSL802SNL6327HTSA1

KEY Part #: K6406801

[1194шт шт]


    Частка нумар:
    BSL802SNL6327HTSA1
    Вытворца:
    Infineon Technologies
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET N-CH 20V 7.5A TSOP6.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - IGBT - масівы, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Тырыстары - SCR, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ and Тырыстары - TRIAC ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies BSL802SNL6327HTSA1. BSL802SNL6327HTSA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BSL802SNL6327HTSA1 Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : BSL802SNL6327HTSA1
    Вытворца : Infineon Technologies
    Апісанне : MOSFET N-CH 20V 7.5A TSOP6
    Серыя : OptiMOS™
    Статус часткі : Obsolete
    Тып FET : N-Channel
    Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 20V
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 7.5A (Ta)
    Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 1.8V, 2.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22 mOhm @ 7.5A, 2.5V
    Vgs (й) (Max) @ Id : 750mV @ 30µA
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 4.7nC @ 2.5V
    Vgs (макс.) : ±8V
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1347pF @ 10V
    Функцыя FET : -
    Рассейванне магутнасці (макс.) : 2W (Ta)
    Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет прылад пастаўшчыка : PG-TSOP-6-6
    Пакет / футляр : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • TK40P04M1(T6RSS-Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 40V 40A 3DP 2-7K1A.

    • TK40P03M1(T6RSS-Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 30V 40A 3DP 2-7K1A.

    • IRLR8256PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 25V 81A DPAK.

    • IRLR8259PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 25V 57A DPAK.

    • NDF08N50ZG

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V 8.5A TO-220FP.

    • NDF05N50ZG

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V TO-220FP.