Infineon Technologies - IDC08S60CEX1SA2

KEY Part #: K6441885

[3322шт шт]


    Частка нумар:
    IDC08S60CEX1SA2
    Вытворца:
    Infineon Technologies
    Падрабязнае апісанне:
    DIODE SIC 600V 8A SAWN WAFER.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - РФ, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Тырыстары - SCR - Модулі, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п and Модулі драйвераў харчавання ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IDC08S60CEX1SA2. IDC08S60CEX1SA2 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IDC08S60CEX1SA2 Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : IDC08S60CEX1SA2
    Вытворца : Infineon Technologies
    Апісанне : DIODE SIC 600V 8A SAWN WAFER
    Серыя : CoolSiC™
    Статус часткі : Obsolete
    Дыёдны тып : Silicon Carbide Schottky
    Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 600V
    Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 8A (DC)
    Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.7V @ 8A
    Хуткасць : No Recovery Time > 500mA (Io)
    Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 0ns
    Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 100µA @ 600V
    Ёмістасць @ Vr, F : 310pF @ 1V, 1MHz
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет / футляр : Die
    Пакет прылад пастаўшчыка : Die
    Працоўная тэмпература - развязка : -55°C ~ 175°C

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • CDBDSC51200-G

      Comchip Technology

      DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 1200V

    • VS-30EPH06-N3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AC. Rectifiers 30A 600V Hyperfast

    • VS-E4PU6006L-N3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD. Rectifiers 600V 60A FRED Pt TO-247 LL 2L

    • VS-60APH03-N3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 300V 60A TO247AC. Rectifiers 60A 300V Hyperfast 28ns FRED Pt

    • VS-30APF10-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247. Rectifiers New Input Diodes - TO-247-e3

    • VS-60APU04-N3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 60A TO247AC. Rectifiers 60A 400V Ultrafast 50ns FRED Pt