Diodes Incorporated - DMN2250UFB-7B

KEY Part #: K6416371

DMN2250UFB-7B Цэнаўтварэнне (USD) [1272399шт шт]

  • 1 pcs$0.02907

Частка нумар:
DMN2250UFB-7B
Вытворца:
Diodes Incorporated
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - IGBT - масівы, Тырыстары - SCR, Дыёды - Зэнер - Масівы, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - IGBT - Модулі and Модулі драйвераў харчавання ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Diodes Incorporated DMN2250UFB-7B. DMN2250UFB-7B можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN2250UFB-7B Атрыбуты прадукту

Частка нумар : DMN2250UFB-7B
Вытворца : Diodes Incorporated
Апісанне : MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 20V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 1.35A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 170 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (й) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 3.1nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±8V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 94pF @ 16V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 500mW (Ta)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : X1-DFN1006-3
Пакет / футляр : 3-UFDFN

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • BS170

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

  • FDD7N20TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK.

  • IRLR8726TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 86A DPAK.

  • FQD2N90TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK.

  • FDD16AN08A0

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK.

  • IRFR3710ZTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 42A DPAK.