Частка нумар :
DMN2250UFB-7B
Вытворца :
Diodes Incorporated
Апісанне :
MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
20V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
1.35A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
170 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (й) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
3.1nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
94pF @ 16V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
500mW (Ta)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
X1-DFN1006-3