Microsemi Corporation - JAN1N4153-1

KEY Part #: K6427774

JAN1N4153-1 Цэнаўтварэнне (USD) [15631шт шт]

  • 1 pcs$4.13377
  • 10 pcs$3.71951
  • 25 pcs$3.38881
  • 100 pcs$3.05819
  • 250 pcs$2.81022
  • 500 pcs$2.56226

Частка нумар:
JAN1N4153-1
Вытворца:
Microsemi Corporation
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы and Транзістары - JFET ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation JAN1N4153-1. JAN1N4153-1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N4153-1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : JAN1N4153-1
Вытворца : Microsemi Corporation
Апісанне : DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35
Серыя : Military, MIL-PRF-19500/337
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 75V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 150mA (DC)
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 880mV @ 20mA
Хуткасць : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 4ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 50nA @ 50V
Ёмістасць @ Vr, F : 2pF @ 0V, 1MHz
Тып мантажу : Through Hole
Пакет / футляр : DO-204AH, DO-35, Axial
Пакет прылад пастаўшчыка : DO-35
Працоўная тэмпература - развязка : -65°C ~ 175°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • GP2D003A065C

    Global Power Technologies Group

    DIODE SCHOTTKY 650V 3A TO252-2.

  • V20PW60HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 20A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 20A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified

  • V20PWM12HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 120V 20A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 20A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified

  • V20PW15-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 150V 20A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Single Die TO-252AE 20A If(AV)

  • V20PWM45-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 20A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Single Die TO-252AE 20A If(AV)

  • V35PW10HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 35A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified