Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Дадому
  2. Прадукты
  3. Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы
  4. Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ
  5. IXZR08N120B-00

IXYS-RF - IXZR08N120B-00

KEY Part #: K6466421

IXZR08N120B-00 Цэнаўтварэнне (USD) [3045шт шт]

  • 1 pcs$18.80535
  • 10 pcs$17.39506
  • 100 pcs$14.85622
Частка нумар:
IXZR08N120B-00
Вытворца:
IXYS-RF
Падрабязнае апісанне:
RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - Модулі, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors) and Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах IXYS-RF IXZR08N120B-00. IXZR08N120B-00 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXZR08N120B-00 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IXZR08N120B-00
Вытворца : IXYS-RF
Апісанне : RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3
Серыя : Z-MOS™
Статус часткі : Active
Тып транзістара : N-Channel
Частата : 65MHz
Ўзмоцніць : 23dB
Напружанне - тэст : 100V
Бягучы рэйтынг : 8A
Фігура шуму : -
Ток - тэст : -
Магутнасць - выхад : 250W
Напружанне - Намінальны : 1200V
Пакет / футляр : TO-247-3
Пакет прылад пастаўшчыка : PLUS247™-3

Апошнія навіны

Guerrilla RF Linear Noise Amplifiers
Guerrilla RF GRF4042 Low Noise Amplifier with Low Bypass
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • 2SK3079ATE12LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSF RF N CH 10V PW-X.

  • 3SK293(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    FET RF 12.5V 800MHZ USQ.

  • 3SK294(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    FET RF 12.5V 500MHZ USQ.

  • 3SK291(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH SMQ.

  • 3SK292(TE85R,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 12.5 30MA SMQ.

  • STAC3932F

    STMicroelectronics

    TRANS RF PWR N-CH STAC244F.

Гарачыя часткі