IXYS - IXTT60N10

KEY Part #: K6412513

IXTT60N10 Цэнаўтварэнне (USD) [8867шт шт]

  • 1 pcs$5.37094
  • 30 pcs$5.34422

Частка нумар:
IXTT60N10
Вытворца:
IXYS
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 100V 60A TO-268.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Тырыстары - SCR - Модулі, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - IGBT - адзінкавыя and Дыёды - РФ ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах IXYS IXTT60N10. IXTT60N10 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTT60N10 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IXTT60N10
Вытворца : IXYS
Апісанне : MOSFET N-CH 100V 60A TO-268
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 100V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 60A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 3200pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 300W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-268
Пакет / футляр : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • GP2M002A060CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 600V 2A DPAK.

  • IRFR4104TRR

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 42A DPAK.

  • IRFR4104TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 42A DPAK.

  • IRFR7746PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 75V 56A D2PAK.

  • IRFR120ZTRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK.

  • FDD16AN08A0-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 75V 50A DPAK.