Microsemi Corporation - JANS1N4099-1

KEY Part #: K6479699

JANS1N4099-1 Цэнаўтварэнне (USD) [789шт шт]

  • 1 pcs$56.25818

Частка нумар:
JANS1N4099-1
Вытворца:
Microsemi Corporation
Падрабязнае апісанне:
DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - SCR, Тырыстары - TRIAC, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - IGBT - адзінкавыя and Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation JANS1N4099-1. JANS1N4099-1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANS1N4099-1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : JANS1N4099-1
Вытворца : Microsemi Corporation
Апісанне : DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35
Серыя : Military, MIL-PRF-19500/435
Статус часткі : Active
Напружанне - Зэнер (Ном) (Vz) : 6.8V
Талерантнасць : ±5%
Магутнасць - Макс : 500mW
Імпеданс (макс.) (Zzt) : 200 Ohms
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 1µA @ 5.2V
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.1V @ 200mA
Працоўная тэмпература : -65°C ~ 175°C
Тып мантажу : Through Hole
Пакет / футляр : DO-204AH, DO-35, Axial
Пакет прылад пастаўшчыка : DO-35

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • BAR43C

    ON Semiconductor

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23-3.

  • BAW156E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • MMBD1705A

    ON Semiconductor

    DIODE ARRAY GP 30V 50MA SOT23-3.

  • SMBD7000E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.2A

  • 1SS181,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR

  • BAV170E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode Array