Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Дадому
  2. Прадукты
  3. Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы
  4. Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя
  5. JANTX1N5553US

Microsemi Corporation - JANTX1N5553US

KEY Part #: K6432310

JANTX1N5553US Цэнаўтварэнне (USD) [6840шт шт]

  • 1 pcs$7.45407
  • 100 pcs$7.41698
Частка нумар:
JANTX1N5553US
Вытворца:
Microsemi Corporation
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF. Rectifiers D MET 3A STD 800V HR SM
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - IGBT - масівы, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - IGBT - адзінкавыя and Дыёды - выпрамнікі - масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation JANTX1N5553US. JANTX1N5553US можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTX1N5553US Атрыбуты прадукту

Частка нумар : JANTX1N5553US
Вытворца : Microsemi Corporation
Апісанне : DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF
Серыя : Military, MIL-PRF-19500/420
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 800V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 3A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.3V @ 9A
Хуткасць : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 2µs
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 1µA @ 800V
Ёмістасць @ Vr, F : -
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : SQ-MELF, B
Пакет прылад пастаўшчыка : D-5B
Працоўная тэмпература - развязка : -65°C ~ 175°C

Апошнія навіны

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • ACDSV21H-G

    Comchip Technology

    DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Sm. Signal Switching Diodes 250V 200mA

  • VS-50WQ03FNHM3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 5.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • VS-30WQ10FNTRHM3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • VS-50WQ06FNTRLHM3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • VS-30WQ03FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • VS-50WQ04FNTRR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V 5.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

Гарачыя часткі