Частка нумар :
APTGT50H60RT3G
Вытворца :
Microsemi Corporation
Апісанне :
POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
Тып IGBT :
Trench Field Stop
Канфігурацыя :
Full Bridge Inverter
Напружанне - Разбіўка выпраменьвальніка (макс.) :
600V
Ток - калекцыянер (Ic) (макс.) :
80A
Vce (на) (Max) @ Vge, Ic :
1.9V @ 15V, 50A
Ток - адключэнне калекцыі (макс.) :
250µA
Ёмістасць уводу (Cies) @ Vce :
3.15nF @ 25V
Увод :
Single Phase Bridge Rectifier
Працоўная тэмпература :
-
Тып мантажу :
Chassis Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
SP3