Diodes Incorporated - SBR02U100LP-7

KEY Part #: K6457001

SBR02U100LP-7 Цэнаўтварэнне (USD) [546014шт шт]

  • 1 pcs$0.06774
  • 3,000 pcs$0.06102
  • 6,000 pcs$0.05732
  • 15,000 pcs$0.05362
  • 30,000 pcs$0.04918

Частка нумар:
SBR02U100LP-7
Вытворца:
Diodes Incorporated
Падрабязнае апісанне:
DIODE SBR 100V 250MA 2DFN. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A 100V
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п and Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Diodes Incorporated SBR02U100LP-7. SBR02U100LP-7 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SBR02U100LP-7 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SBR02U100LP-7
Вытворца : Diodes Incorporated
Апісанне : DIODE SBR 100V 250MA 2DFN
Серыя : SBR®
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Super Barrier
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 100V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 250mA
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 800mV @ 200mA
Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : -
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 1µA @ 75V
Ёмістасць @ Vr, F : -
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : 0402 (1006 Metric)
Пакет прылад пастаўшчыка : X1-DFN1006-2
Працоўная тэмпература - развязка : -65°C ~ 150°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • DSS2-60AT2

    IXYS

    DIODE SCHOTTKY 60V 2A TO92-3.

  • FFD08S60S-F085

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK. Rectifiers 8A, 600V Stealth II Rectifier

  • BAS16

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 85V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching SOT23 215mA 75V 4ns

  • VS-6EVL06HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK.

  • VS-8EVL06-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK.

  • VS-8EVX06-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK.