Microsemi Corporation - APT35GP120J

KEY Part #: K6532634

APT35GP120J Цэнаўтварэнне (USD) [2421шт шт]

  • 1 pcs$17.89265
  • 10 pcs$16.54954
  • 25 pcs$15.20773
  • 100 pcs$14.13417
  • 250 pcs$12.97123

Частка нумар:
APT35GP120J
Вытворца:
Microsemi Corporation
Падрабязнае апісанне:
IGBT 1200V 64A 284W SOT227.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Модулі драйвераў харчавання, Тырыстары - TRIAC, Дыёды - РФ, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - IGBT - Модулі, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Дыёды - Зэнер - Масівы and Транзістары - IGBT - масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation APT35GP120J. APT35GP120J можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT35GP120J Атрыбуты прадукту

Частка нумар : APT35GP120J
Вытворца : Microsemi Corporation
Апісанне : IGBT 1200V 64A 284W SOT227
Серыя : POWER MOS 7®
Статус часткі : Active
Тып IGBT : PT
Канфігурацыя : Single
Напружанне - Разбіўка выпраменьвальніка (макс.) : 1200V
Ток - калекцыянер (Ic) (макс.) : 64A
Магутнасць - Макс : 284W
Vce (на) (Max) @ Vge, Ic : 3.9V @ 15V, 35A
Ток - адключэнне калекцыі (макс.) : 250µA
Ёмістасць уводу (Cies) @ Vce : 3.24nF @ 25V
Увод : Standard
NTC-цеплавізатар : No
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Chassis Mount
Пакет / футляр : ISOTOP
Пакет прылад пастаўшчыка : ISOTOP®

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.