Vishay Semiconductor Diodes Division - BAS33-TAP

KEY Part #: K6439517

BAS33-TAP Цэнаўтварэнне (USD) [2457210шт шт]

  • 1 pcs$0.01505
  • 50,000 pcs$0.01370

Частка нумар:
BAS33-TAP
Вытворца:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 30V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching 40 Volt 200mA 2.0 Amp IFSM
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - JFET, Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы and Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division BAS33-TAP. BAS33-TAP можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAS33-TAP Атрыбуты прадукту

Частка нумар : BAS33-TAP
Вытворца : Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне : DIODE GEN PURP 30V 200MA DO35
Серыя : Automotive, AEC-Q101
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 30V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 200mA
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1V @ 100mA
Хуткасць : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : -
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 1nA @ 15V
Ёмістасць @ Vr, F : 3pF @ 0V, 1MHz
Тып мантажу : Through Hole
Пакет / футляр : DO-204AH, DO-35, Axial
Пакет прылад пастаўшчыка : DO-35
Працоўная тэмпература - развязка : 175°C (Max)

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • DSEP6-06BS

    IXYS

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA. Rectifiers 6 Amps 600V

  • DLA10IM800UC

    IXYS

    DIODE GEN PURP 800V 10A TO252. Rectifiers 10 Amps 800V

  • S1FLD-M-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GP 200V 700MA DO219AB. Rectifiers GENPURP SWITCHING DIODESMFDO219ECO-e3M

  • S1FLJ-GS18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB. Rectifiers GENPURP SWITCHING DIODESMFDO219ECO-e3

  • RS07D-GS18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GP 200V 500MA DO219AB. Rectifiers 200 Volt 0.7A 150ns

  • RS07J-GS08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GP 600V 500MA DO219AB. Rectifiers 600 Volt 0.7A 150ns