Частка нумар :
RN1106MFV(TL3,T)
Вытворца :
Toshiba Semiconductor and Storage
Апісанне :
TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
Тып транзістара :
NPN - Pre-Biased
Ток - калекцыянер (Ic) (макс.) :
100mA
Напружанне - Разбіўка выпраменьвальніка (макс.) :
50V
Рэзістар - база (R1) :
4.7 kOhms
Рэзістар - выпраменьвальная база (R2) :
47 kOhms
Прыманне пастаяннага току (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
300mV @ 500µA, 5mA
Ток - адключэнне калекцыі (макс.) :
500nA
Магутнасць - Макс :
150mW
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
VESM