Ampleon USA Inc. - BLP05H6350XRGY

KEY Part #: K6465840

BLP05H6350XRGY Цэнаўтварэнне (USD) [1537шт шт]

1 pcs$39.32611
100 pcs$39.13046

Частка нумар:: BLP05H6350XRGY

Вытворца:: Ampleon USA Inc.

Падрабязнае апісанне:: RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242.

Manufacturer's standard lead time:: У наяўнасці

Тэрмін прыдатнасці:: Адзін год

Фішка ад:: Ганконг

RoHS:

Спосаб аплаты:

Адгрузка спосабам:

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - РФ, Транзістары - JFET, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Тырыстары - SCR and Тырыстары - DIAC, SIDAC ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Ampleon USA Inc. BLP05H6350XRGY. BLP05H6350XRGY можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

BLP05H6350XRGY Атрыбуты прадукту

Частка нумар : BLP05H6350XRGY

Вытворца : Ampleon USA Inc.

Апісанне : RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242

Серыя : -

Статус часткі : Active

Тып транзістара : LDMOS (Dual), Common Source

Частата : 108MHz

Ўзмоцніць : 27dB

Напружанне - тэст : 50V

Бягучы рэйтынг : -

Фігура шуму : -

Ток - тэст : 100mA

Магутнасць - выхад : 350W

Напружанне - Намінальны : 135V

Пакет / футляр : SOT-1224-2

Пакет прылад пастаўшчыка : 4-HSOPF

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў

MMBFJ310

ON Semiconductor

RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23.
MMBF5484

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 5MA SOT23.
AFM906NT1

NXP USA Inc.

WIDEBAND AIRFAST RF POWER LDMOS.
A2T27S007NT1

NXP USA Inc.

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO.
AFM907NT1

NXP USA Inc.

RF MOSFET LDMOS 7.5V 10-DFN.
MHT1108NT1

NXP USA Inc.

RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO.

English Беларусь