Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Дадому
  2. Прадукты
  3. Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы
  4. Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ
  5. BLP10H605Z

Ampleon USA Inc. - BLP10H605Z

KEY Part #: K6465820

BLP10H605Z Цэнаўтварэнне (USD) [6527шт шт]

  • 1 pcs$7.66270
  • 500 pcs$7.62458
Частка нумар:
BLP10H605Z
Вытворца:
Ampleon USA Inc.
Падрабязнае апісанне:
RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - SCR, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ and Дыёды - РФ ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Ampleon USA Inc. BLP10H605Z. BLP10H605Z можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BLP10H605Z Атрыбуты прадукту

Частка нумар : BLP10H605Z
Вытворца : Ampleon USA Inc.
Апісанне : RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып транзістара : LDMOS (Dual), Common Source
Частата : 860MHz
Ўзмоцніць : 22.4dB
Напружанне - тэст : 50V
Бягучы рэйтынг : -
Фігура шуму : -
Ток - тэст : 30mA
Магутнасць - выхад : 5W
Напружанне - Намінальны : 104V
Пакет / футляр : 12-VDFN Exposed Pad
Пакет прылад пастаўшчыка : 12-HVSON (6x5)
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • MMBFJ310

    ON Semiconductor

    RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23.

  • MMBF5484

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 25V 5MA SOT23.

  • AFM906NT1

    NXP USA Inc.

    WIDEBAND AIRFAST RF POWER LDMOS.

  • A2T27S007NT1

    NXP USA Inc.

    AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO.

  • AFM907NT1

    NXP USA Inc.

    RF MOSFET LDMOS 7.5V 10-DFN.

  • MHT1108NT1

    NXP USA Inc.

    RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO.

Гарачыя часткі