Ampleon USA Inc. - BLP10H605Z

KEY Part #: K6465820

BLP10H605Z Цэнаўтварэнне (USD) [6527шт шт]

1 pcs$7.66270
500 pcs$7.62458

Частка нумар:: BLP10H605Z

Вытворца:: Ampleon USA Inc.

Падрабязнае апісанне:: RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN.

Manufacturer's standard lead time:: У наяўнасці

Тэрмін прыдатнасці:: Адзін год

Фішка ад:: Ганконг

RoHS:

Спосаб аплаты:

Адгрузка спосабам:

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Тырыстары - SCR, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі and Тырыстары - DIAC, SIDAC ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Ampleon USA Inc. BLP10H605Z. BLP10H605Z можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

BLP10H605Z Атрыбуты прадукту

Частка нумар : BLP10H605Z

Вытворца : Ampleon USA Inc.

Апісанне : RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN

Серыя : -

Статус часткі : Active

Тып транзістара : LDMOS (Dual), Common Source

Частата : 860MHz

Ўзмоцніць : 22.4dB

Напружанне - тэст : 50V

Бягучы рэйтынг : -

Фігура шуму : -

Ток - тэст : 30mA

Магутнасць - выхад : 5W

Напружанне - Намінальны : 104V

Пакет / футляр : 12-VDFN Exposed Pad

Пакет прылад пастаўшчыка : 12-HVSON (6x5)

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў

MMBFJ310

ON Semiconductor

RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23.
MMBF5484

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 5MA SOT23.
AFM906NT1

NXP USA Inc.

WIDEBAND AIRFAST RF POWER LDMOS.
A2T27S007NT1

NXP USA Inc.

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO.
AFM907NT1

NXP USA Inc.

RF MOSFET LDMOS 7.5V 10-DFN.
MHT1108NT1

NXP USA Inc.

RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO.

English Беларусь