Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Дадому
  2. Прадукты
  3. Інтэгральныя схемы (ІС)
  4. Памяць
  5. W979H6KBVX2E TR

Winbond Electronics - W979H6KBVX2E TR

KEY Part #: K940390

W979H6KBVX2E TR Цэнаўтварэнне (USD) [29615шт шт]

  • 1 pcs$2.07968
  • 3,500 pcs$2.06933
Частка нумар:
W979H6KBVX2E TR
Вытворца:
Winbond Electronics
Падрабязнае апісанне:
IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA. DRAM 512Mb LPDDR2, x16, 400MHz T&R
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: PMIC - Рэгулятары напружання - Рэгулятары пераключ, Інтэрфейс - Фільтры - Актыўны, Логіка - шлапакі, Інтэрфейс - мадэмы - ІС і модулі, PMIC - PFC (карэкцыя каэфіцыента магутнасці), Убудаваны - FPGA (палявая праграмуемая брама), Логіка - Перакладчыкі, Змяняльнікі ўзроўню and Логіка - зашчапкі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Winbond Electronics W979H6KBVX2E TR. W979H6KBVX2E TR можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W979H6KBVX2E TR Атрыбуты прадукту

Частка нумар : W979H6KBVX2E TR
Вытворца : Winbond Electronics
Апісанне : IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып памяці : Volatile
Фармат памяці : DRAM
Тэхналогіі : SDRAM - Mobile LPDDR2
Памер памяці : 512Mb (32M x 16)
Тактовая частата : 400MHz
Час цыкла напісання - слова, старонка : 15ns
Час доступу : -
Інтэрфейс памяці : Parallel
Напружанне - падача : 1.14V ~ 1.95V
Працоўная тэмпература : -25°C ~ 85°C (TC)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : 134-VFBGA
Пакет прылад пастаўшчыка : 134-VFBGA (10x11.5)

Апошнія навіны

Winbond DRAM Product Portfolio
Winbond NOR Product Portfolio
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • W25M02GVZEIG TR

    Winbond Electronics

    IC FLASH 2G SPI 104MHZ 8WSON.

  • W25M02GVZEIT TR

    Winbond Electronics

    IC FLASH 2G SPI 104MHZ 8WSON. Multichip Packages 2G-bit Serial NAND flash, 3V

  • FM25CL64B-DG

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FRAM 64K SPI 20MHZ 8TDFN. F-RAM 64Kb Serial SPI 3V FRAM

  • BR24G1M-3A

    Rohm Semiconductor

    IC EEPROM 1M I2C 1MHZ 8-DIP-T.

  • AT28HC64B-12SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 120NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • 6116LA25SOG

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM

Гарачыя часткі