Частка нумар :
IPB80N08S2L07ATMA1
Вытворца :
Infineon Technologies
Апісанне :
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
75V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
80A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.8 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
233nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
5400pF @ 25V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
300W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
PG-TO263-3-2
Пакет / футляр :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB