STMicroelectronics - STGE200NB60S

KEY Part #: K6533597

STGE200NB60S Цэнаўтварэнне (USD) [3344шт шт]

  • 1 pcs$12.95387
  • 10 pcs$11.94712
  • 100 pcs$10.20196
  • 500 pcs$9.26232

Частка нумар:
STGE200NB60S
Вытворца:
STMicroelectronics
Падрабязнае апісанне:
IGBT N-CHAN 150A 600V ISOTOP.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Тырыстары - SCR - Модулі, Дыёды - Зэнер - Масівы, Дыёды - РФ, Тырыстары - TRIAC and Дыёды - выпрамнікі - масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах STMicroelectronics STGE200NB60S. STGE200NB60S можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STGE200NB60S Атрыбуты прадукту

Частка нумар : STGE200NB60S
Вытворца : STMicroelectronics
Апісанне : IGBT N-CHAN 150A 600V ISOTOP
Серыя : PowerMESH™
Статус часткі : Active
Тып IGBT : -
Канфігурацыя : Single
Напружанне - Разбіўка выпраменьвальніка (макс.) : 600V
Ток - калекцыянер (Ic) (макс.) : 200A
Магутнасць - Макс : 600W
Vce (на) (Max) @ Vge, Ic : 1.6V @ 15V, 100A
Ток - адключэнне калекцыі (макс.) : 500µA
Ёмістасць уводу (Cies) @ Vce : 1.56nF @ 25V
Увод : Standard
NTC-цеплавізатар : No
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Chassis Mount
Пакет / футляр : ISOTOP
Пакет прылад пастаўшчыка : ISOTOP

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • VS-GT175DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.

  • VS-CPV363M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-GT105LA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 105A LS CHOP SOT-227.

  • VS-GT100NA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100LA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 184A 577W SOT-227.