Comchip Technology - B2S-G

KEY Part #: K6538182

Падрабязнае апісанне:: BRIDGE RECT 1P 200V 800MA MBS. Bridge Rectifiers VR=200V, IO=0.8A

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - JFET, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы and Транзістары - IGBT - масівы ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Comchip Technology B2S-G. B2S-G можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

Частка нумар : B2S-G

Вытворца : Comchip Technology

Апісанне : BRIDGE RECT 1P 200V 800MA MBS

Серыя : -

Статус часткі : Active

Дыёдны тып : Single Phase

Тэхналогіі : Standard

Напруга - максімальная рэверсія (макс.) : 200V

Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 800mA

Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.1V @ 800mA

Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 5µA @ 200V

Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)

Тып мантажу : Surface Mount

Пакет / футляр : TO-269AA, 4-BESOP

Пакет прылад пастаўшчыка : MBS

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў

CPC7556N

IXYS Integrated Circuits Division

BRIDGE RECT 1P 120V 250MA 8SOIC.
RMB2S-E3/80

Vishay Semiconductor Diodes Division

BRIDGE RECT 3P 200V TO269AA. Bridge Rectifiers 0.5 Amp 200 Volt
MB2M-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

BRIDGE RECT 1P 200V 500MA MBM. Bridge Rectifiers 200 Volt 0.5 Amp 35 Amp IFSM
TSS4B03GHC2G

Taiwan Semiconductor Corporation

BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A TS4B.
TSS4B04GHC2G

Taiwan Semiconductor Corporation

BRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A TS4B.
TSS4B03GHD2G

Taiwan Semiconductor Corporation

BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A TS4B. Bridge Rectifiers 35ns 4A 200V Sup Fst Rec Rect