Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Дадому
  2. Прадукты
  3. Інтэгральныя схемы (ІС)
  4. Памяць
  5. IS43DR86400E-3DBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43DR86400E-3DBL

KEY Part #: K940671

IS43DR86400E-3DBL Цэнаўтварэнне (USD) [31414шт шт]

  • 1 pcs$1.73636
Частка нумар:
IS43DR86400E-3DBL
Вытворца:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Падрабязнае апісанне:
IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA. DRAM 512M 64Mx8 333MHz DDR2 1.8V
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Логіка - мультывібратары, PMIC - пераўтваральнікі пераменнага току, аўтаномн, PMIC - зарадныя прылады, Лінейна - апрацоўка відэа, PMIC - кантролеры гарачай замены, PMIC - Паказаць драйверы, PMIC - V / F і F / V пераўтваральнікі and IC Chips ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400E-3DBL. IS43DR86400E-3DBL можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43DR86400E-3DBL Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IS43DR86400E-3DBL
Вытворца : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Апісанне : IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып памяці : Volatile
Фармат памяці : DRAM
Тэхналогіі : SDRAM - DDR2
Памер памяці : 512Mb (64M x 8)
Тактовая частата : 333MHz
Час цыкла напісання - слова, старонка : 15ns
Час доступу : 450ns
Інтэрфейс памяці : Parallel
Напружанне - падача : 1.7V ~ 1.9V
Працоўная тэмпература : 0°C ~ 85°C (TC)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : 60-TFBGA
Пакет прылад пастаўшчыка : 60-TWBGA (8x10.5)

Апошнія навіны

Silicom MinnowBoard Turbot
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • W25M512JVEIQ TR

    Winbond Electronics

    IC FLASH 512M SPI 104MHZ 8WSON. Multichip Packages spiFlash, 512M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • 25LC1024-E/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 128K x 8 - 2.5-5.5V

  • DS24B33S+

    Maxim Integrated

    IC EEPROM 4K 1WIRE 8SO. EEPROM 1-Wire 4kbit EEPROM

  • U62256AS2C07LLG1

    Alliance Memory, Inc.

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP. SRAM ZMD 32K x 8 5V Asynch

  • U62256AS2K07LLG1

    Alliance Memory, Inc.

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP. SRAM ZMD 32K x 8 5V Asynch

  • U62256ADC07LLG1

    Alliance Memory, Inc.

    IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP. SRAM ZMD 32K x 8 5V Asynch

Гарачыя часткі