Vishay Semiconductor Diodes Division - FESE8GT-E3/45

KEY Part #: K6443581

FESE8GT-E3/45 Цэнаўтварэнне (USD) [7374шт шт]

  • 3,000 pcs$0.16279

Частка нумар:
FESE8GT-E3/45
Вытворца:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - SCR - Модулі, Тырыстары - SCR, Дыёды - Зэнер - Масівы, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Модулі драйвераў харчавання and Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division FESE8GT-E3/45. FESE8GT-E3/45 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FESE8GT-E3/45 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : FESE8GT-E3/45
Вытворца : Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне : DIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC
Серыя : -
Статус часткі : Obsolete
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 400V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 8A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.3V @ 8A
Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 50ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 10µA @ 400V
Ёмістасць @ Vr, F : 85pF @ 4V, 1MHz
Тып мантажу : Through Hole
Пакет / футляр : TO-220-2
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-220AC
Працоўная тэмпература - развязка : -55°C ~ 150°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • UD0506T-TL-HX

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 5A 600V LOW VF

  • RD0504T-P-TL-H

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 400V 5A TPFA.

  • VS-8EWF02S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 8A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching New Input Diodes - D-PAK-e3

  • V30100S-M3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30A 100V TO-220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30A,100V,SINGLE TRENCH SKY RECT.

  • V30120SG-E3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 120V 30A TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30 Amp 120 Volt Single TrenchMOS

  • M3045S-M3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 30A TO220AB.