Microsemi Corporation - APTGT200TL60G

KEY Part #: K6532502

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - IGBT - масівы, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - спецыяльнага прызначэння and Тырыстары - DIAC, SIDAC ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation APTGT200TL60G. APTGT200TL60G можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

Частка нумар : APTGT200TL60G

Вытворца : Microsemi Corporation

Апісанне : POWER MODULE IGBT 600V 200A SP6

Серыя : -

Статус часткі : Active

Тып IGBT : Trench Field Stop

Канфігурацыя : Three Level Inverter

Напружанне - Разбіўка выпраменьвальніка (макс.) : 600V

Ток - калекцыянер (Ic) (макс.) : 300A

Магутнасць - Макс : 652W

Vce (на) (Max) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 200A

Ток - адключэнне калекцыі (макс.) : 350µA

Ёмістасць уводу (Cies) @ Vce : 12.2nF @ 25V

Увод : Standard

NTC-цеплавізатар : No

Працоўная тэмпература : -40°C ~ 175°C (TJ)

Тып мантажу : Chassis Mount

Пакет / футляр : SP6

Пакет прылад пастаўшчыка : SP6

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў

VS-ENQ030L120S

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology
VS-ETF150Y65N

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.
CPV362M4F

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.
A2C35S12M3

STMicroelectronics

IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.
A2C25S12M3

STMicroelectronics

IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.
A1P35S12M3

STMicroelectronics

IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK1.