IXYS - IXTQ26P20P

KEY Part #: K6394998

IXTQ26P20P Цэнаўтварэнне (USD) [20473шт шт]

  • 1 pcs$2.11963
  • 120 pcs$2.10908

Частка нумар:
IXTQ26P20P
Вытворца:
IXYS
Падрабязнае апісанне:
MOSFET P-CH 200V 26A TO-3P.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Тырыстары - SCR, Модулі драйвераў харчавання and Тырыстары - DIAC, SIDAC ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах IXYS IXTQ26P20P. IXTQ26P20P можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTQ26P20P Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IXTQ26P20P
Вытворца : IXYS
Апісанне : MOSFET P-CH 200V 26A TO-3P
Серыя : PolarP™
Статус часткі : Active
Тып FET : P-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 200V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 26A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 170 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 56nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 2740pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 300W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-3P
Пакет / футляр : TO-3P-3, SC-65-3