ON Semiconductor - FQD17P06TM

KEY Part #: K6392692

FQD17P06TM Цэнаўтварэнне (USD) [203660шт шт]

  • 1 pcs$0.18161
  • 2,500 pcs$0.14749

Частка нумар:
FQD17P06TM
Вытворца:
ON Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Дыёды - выпрамнікі - масівы and Тырыстары - SCR - Модулі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor FQD17P06TM. FQD17P06TM можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQD17P06TM Атрыбуты прадукту

Частка нумар : FQD17P06TM
Вытворца : ON Semiconductor
Апісанне : MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Серыя : QFET®
Статус часткі : Active
Тып FET : P-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 60V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 12A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 135 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 27nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±25V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 900pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : D-Pak
Пакет / футляр : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў