Апісанне :
IC MOSF DRVR FAST DUAL INV 8-DIP
Кіраваная канфігурацыя :
Low-Side
Тып варот :
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Напружанне - падача :
4.5V ~ 30V
Логічнае напружанне - VIL, VIH :
0.8V, 3V
Ток - максімальная прадукцыйнасць (крыніца, ракавіна) :
2A, 2A
Высокае бакавое напружанне - макс. (Загрузачны) :
-
Час ўздыму / падзення (тып) :
7.5ns, 6.5ns
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Through Hole
Пакет / футляр :
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Пакет прылад пастаўшчыка :
8-PDIP