GeneSiC Semiconductor - 1N1188A

KEY Part #: K6425039

Падрабязнае апісанне:: DIODE GEN PURP 400V 40A DO5. Rectifiers 400V 40A Std. Recovery

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - SCR, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - JFET, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ and Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах GeneSiC Semiconductor 1N1188A. 1N1188A можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

Частка нумар : 1N1188A

Вытворца : GeneSiC Semiconductor

Апісанне : DIODE GEN PURP 400V 40A DO5

Серыя : -

Статус часткі : Active

Дыёдны тып : Standard

Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 400V

Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 40A

Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.1V @ 40A

Хуткасць : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Рэверсны час аднаўлення (TRR) : -

Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 10µA @ 50V

Ёмістасць @ Vr, F : -

Тып мантажу : Chassis, Stud Mount

Пакет / футляр : DO-203AB, DO-5, Stud

Пакет прылад пастаўшчыка : DO-5

Працоўная тэмпература - развязка : -65°C ~ 200°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў

FGD5T120SH

ON Semiconductor

IGBT 1200V 5A FS3 DPAK.
FGD3N60UNDF

ON Semiconductor

IGBT 600V 6A 60W DPAK.
BAS40E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.
LXA06B600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 6A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 6A Low Qrr
QH05BZ600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 5A, Rectifier
VS-20ETS08SPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB.

Гарачыя часткі