SS16HE Цэнаўтварэнне (USD) [1122166шт шт]
- 1 pcs$0.03478
- 3,000 pcs$0.03461
- 6,000 pcs$0.03269
- 15,000 pcs$0.02980
- 30,000 pcs$0.02788
- 75,000 pcs$0.02564
- Частка нумар:
- SS16HE
- Вытворца:
- ON Semiconductor
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE SCHOTTKY 60V 1A SOD323HE. Schottky Diodes & Rectifiers 60V 1A Schottky Barrier Rectifier
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Дыёды - Зэнер - Масівы, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - IGBT - Модулі, Тырыстары - SCR, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Дыёды - РФ and Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor SS16HE. SS16HE можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
SS16HE Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
SS16HE
Вытворца :
ON Semiconductor
Апісанне :
DIODE SCHOTTKY 60V 1A SOD323HE
Серыя :
Automotive, AEC-Q101
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Schottky
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
60V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
1A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
680mV @ 1A
Хуткасць :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
8.3ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
50µA @ 60V
Ёмістасць @ Vr, F :
43pF @ 4V, 1MHz
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
2-SMD, Flat Lead
Пакет прылад пастаўшчыка :
SOD-323HE
Працоўная тэмпература - развязка :
-55°C ~ 150°C
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
-
BAS16E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 85V 0.25A
-
-
CMDD6001 TR
Central Semiconductor Corp
DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA
-
VS-5EWH06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK. Rectifiers Hyperfast 5A 600V 18ns
-
1N4150W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns
Гарачыя часткі
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G